絶縁ゲート型トランジスタの特性評価方法、絶縁ゲート型トランジスタの製造方法、絶縁ゲート型トランジスタの特性評価装置、および特性評価プログラムを記録してあるコンピュータ読み取り可能な記録媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213019
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049338
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】抵抗に基づく方法において、実効チャネル長や外部抵抗の抽出確度を向上させることを目的とする。【解決手段】基準となるチャネル長が長いトランジスタと、実効チャネル長の抽出対象となるチャネル長の短いトランジスタとを準備する(ステップST1.1)。マスクチャネル長-ソース・ドレイン間抵抗平面において、ゲートオーバードライブを微小変化させてもソース・ドレイン間抵抗の変化がほぼ0と推定される仮想点を抽出する。その仮想点の座標におけるソース・ドレイン間抵抗の変化の割合と単位長さ当たりのチャネル抵抗にマスクチャネル長の変化の割合をかけて得られる積との差で定義される関数Fの値を計算する(ステップST1.6)。ステップST1.7で求める関数Fの標準偏差が最小となるシフト量δから、チャネル長が短い方のトランジスタの真の閾値電圧を決定する(ステップST1.10)。

請求項（抜粋）：

(a)マスクチャネル長のみが互いに異なる少なくとも2つの絶縁ゲート型トランジスタを準備するステップと、(b)前記少なくとも2つの絶縁ゲート型トランジスタのうち、チャネル長の長い方の第1絶縁ゲート型トランジスタに関する閾値電圧を抽出し、チャネル長の短い方の第2絶縁ゲート型トランジスタに関する閾値電圧を推定するとともに推定した当該閾値電圧の値を第1の推定値とするステップと、(c)前記第1絶縁ゲート型トランジスタのゲート電圧と抽出された前記第1絶縁ゲート型トランジスタの前記閾値電圧との差を第1ゲートオーバードライブと定義するとともに前記第2絶縁ゲート型トランジスタのゲート電圧と前記第1の推定値との差を第2ゲートオーバードライブと定義したとき、前記マスクチャネル長をX軸、ソース・ドレイン間抵抗をY軸とするX-Y平面において、前記第1および第2ゲートオーバードライブが等しいという条件の下で、前記第1および第2絶縁ゲート型トランジスタの前記マスクチャネル長と前記ソース・ドレイン間抵抗との関係を示す特性曲線から、前記第1および第2ゲートオーバードライブを微小変化させても前記ソース・ドレイン間抵抗の変化がほぼ0と推定される仮想点を抽出して当該仮想点におけるX座標の値およびY座標の値をそれぞれ第2および第3の推定値とし、並びに前記仮想点における前記特性曲線の傾きを抽出するとともに抽出した当該傾きの値を第4の推定値とするステップと、(d)前記ステップ(c)を、前記第1の推定値を変化させて繰り返し行うステップと、(e)前記ステップ(c)、(d)に係わる前記第2から第4の推定値の中から、前記第1および第2ゲートオーバードライブの微小変化に対し、前記第2の推定値の変化分と前記第4の推定値との積に前記第3の推定値の変化分が等しくなるときの最適な第2から第4の推定値を求め、当該最適な第2から第4の推定値に対応する最適な第1の推定値を決定すると共に、前記最適な第1の推定値に基づいて前記第2絶縁ゲート型トランジスタの閾値電圧の真の値を決定するステップと、(f)前記閾値電圧の真の値から前記マスクチャネル長と実効チャネル長との差および外部抵抗を決定するステップとを備える絶縁ゲート型トランジスタの特性評価方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 29/78 301 T , H01L 21/66 V

Fターム (13件)：

4M106AA01 , 4M106AB03 , 4M106AB04 , 4M106BA14 , 4M106CA01 , 4M106CA02 , 4M106CA04 , 4M106CA10 , 4M106CA32 , 5F040DA00 , 5F040DA30 , 5F040DB01 , 5F040DB10

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭54-026667
特開昭54-026667

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