特許
J-GLOBAL ID：200903064372565784
積層PZT及びその形成方法と積層PZT製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253983
公開番号（公開出願番号）：特開平5-093262
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、積層PZT及びその形成方法と積層PZT製造装置に関し、積層PZTを容易に形成することができ、PZT部に十分な歪みを低電圧で与えることができ、しかも、工程数を低減して積層PZTを形成することができ、製造コストを低減することができる積層PZT及びその形成方法と積層PZT製造装置を提供することを目的とする。【構成】 レーザーによるアブレーションプロセスを経て形成されてなるように構成する
請求項（抜粋）：
レーザーによるアブレーションプロセスを経て形成されてなることを特徴とする積層PZT。
IPC (2件)：
前のページに戻る
