特許
J-GLOBAL ID：200903064375490130
シリコン酸化膜形成方法およびシリコン酸化膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-113669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288283
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 異種原子をシリコン酸化膜中に導入することなしにシリコン酸化膜中の構造欠陥を除去することができ、これにより、高品質な極薄シリコン酸化膜を形成できる。【構成】 熱酸化による酸化膜203の形成工程と、シリコンモノオキサイド(SiO)の昇華速度が酸化速度に対して大となる雰囲気中でシリコン酸化膜203中の欠陥204を除去する欠陥除去工程とを連続的に繰り返し行なって、初期酸化を行なう。
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面を酸化性雰囲気中で加熱しシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成方法において、シリコン基板表面の酸化工程と、シリコンモノオキサイド(SiO)の昇華速度が酸化速度に対して大となる雰囲気中でシリコン酸化膜中の欠陥を除去する欠陥除去工程とを基本工程とし、該基本工程を繰り返してシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 21/31 E
