特許
J-GLOBAL ID:200903064380331385
太陽電池の製造方法およびその方法により製造される太陽電池
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-110704
公開番号(公開出願番号):特開2003-303985
出願日: 2002年04月12日
公開日(公表日): 2003年10月24日
要約:
【要約】【課題】 熱酸化法に比べて焼成温度が低く、製造コストが安く、かつ簡略化した工程により、パッシベーション効果および反射防止効果の双方とも優れる膜を形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。また、膜材料の利用効率を向上し、装置および工程の簡略化を図る。【解決手段】 本発明の太陽電池の製造方法は、pn接合を有するシリコン基板の受光面側に、シリコン微粒子を含有するシリコン化合物材料を塗布し、乾燥し、焼成して、シリコン微粒子を含有するシリコン酸化物膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項(抜粋):
pn接合を有するシリコン基板の受光面側に、シリコン微粒子を含有するシリコン化合物材料を塗布し、乾燥し、焼成して、シリコン微粒子を含有するシリコン酸化物膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 21/316 G
, H01L 31/04 F
, H01L 31/04 A
Fターム (13件):
5F051AA03
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051HA03
, 5F051HA04
, 5F051HA05
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ01
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