特許
J-GLOBAL ID：200903064382993245
半導体気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337377
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175138
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 サセプタの基板収納部に改良を施し、量産に適し製造歩留の優れた半導体気相成長装置の構造を提供する。【構成】 反応容器11と、前記反応容器内に垂直に配置されたサセプタ1と、半導体基板を保持するための基板ホルダ2と、前記サセプタに設けられた前記基板ホルダ装入凹部3を具備したことを特徴とする半導体気相成長装置。
請求項（抜粋）：
反応容器と、前記反応容器内に垂直に配置されたサセプタと、半導体基板を保持するための基板ホルダと、前記サセプタに設けられた前記基板ホルダ装入凹部を具備したことを特徴とする半導体気相成長装置。
IPC (2件)：
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