特許
J-GLOBAL ID：200903064384500351
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221083
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054850
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 それほど厳密な工程管理を行なわなくても温度分布を均一にする。【解決手段】 半導体レーザチップ10のp側電極に均熱層19を設けておいて、この均熱層19が半田材50に接触するようにしてチップ10をヒートシンク30に接合し、チップ10とヒートシンク30との接合面で熱抵抗が場所的にばらついていてもそのばらつきを均熱層19で抑えて活性層11などでの層の面内方向での温度分布を均一にする。
請求項（抜粋）：
一方側の電極に均熱層が設けられた半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの上記の側の電極に接触させられるヒートシンクとからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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