特許
J-GLOBAL ID：200903064387808187
誘電体磁器及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330160
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体相部分と常誘電体相部分とが共存するコアシェル構造の誘電体磁器において、Mn、V、Cr、Co、Ni、Fe、Nb、Mo、Ta、Wによって耐還元性を充分に向上させることができなかった。【解決手段】 BaCO3 とTiO2 にMnOを添加したものを仮焼してBa(Ti、Mn)O3 を得る。この仮焼後のBa(Ti、Mn)O3 に、MnO、MgO、Dy2 O3 、及びLi2 O+SiO2 +BaOガラス成分を加えて仮焼した材料でグリーンシートを作り、このグリーンシートを使用して積層コンデンサの積層体を作る。積層体を還元性雰囲気で焼成し、しかる後、酸化処理を行う。これにより、Mnが結晶粒の強誘電体相部分(コア)と常誘電体相部分(シェル)との両方にほぼ均一に分布し、絶縁破壊電圧が高くなる。
請求項（抜粋）：
ABO3 {ここでAはBa、Ba+Ca、Ba+Sr及びBa+Ca+Srから選択された1種、BはTi、Ti+Zr、Ti+R及びTi+Zr+Rから選択された1種(但しRはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tb、Tm、Lu等の1種以上の希土類元素である。)、Oは酸素を示す。}を主成分とし、且つ強誘電体相部分とこの強誘電体相部分を囲む常誘電体相部分とを有する構造の誘電体磁器において、Mn(マンガン)、V(バナジウム)、Cr(クロム)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)、Fe(鉄)、Nb(ニオブ)、Mo(モリブデン)、Ta(タンタル)及びW(タングステン)から選択された1種以上の添加成分が、結晶粒の粒界から中心までの全域にほぼ均一に分布していることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (4件)：
C04B 35/46
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
, H01P 7/10
C04B 35/46 D
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
, H01P 7/10
, C04B 35/46 E
