特許

J-GLOBAL ID：200903064394115286

エッチング方法

発明者： 合田 尚 ,  朝比奈 泰俊 ,  橋本 正幸 ,  岡 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所 ,  日鉄セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041567
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243188
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、アンダーカットを生ずることがない、寸法精度に優れたポリシリコン(以下、アンドープド及びドープドポリシリコンを含むものとする)のエッチング方法を提供することにある。【構成】 本発明に係るエッチング方法は、電子サイクロトン共鳴エッチング法またはマイクロ波プラズマエッチング法によるポリシリコンのエッチング方法において、エッチング用プロセスガスとしてCl2+HBrを使用し、Cl2は全体の50〜70%とする第1工程と、HBr+Heを使用し、HBrは全体の20〜50%とし、試料台に-100〜-30Vの低いバイアス電圧を印加する第2工程よりなることを特徴とする。更に、第2の発明によれば、エッチング用プロセスガスとしてHBr+HeをHBrがHBr+Heの20〜50%となる割合で使用し、試料台に比較的高い-100〜-250Vのバイアス電圧を印加する第1工程と、-100〜-30Vの低いバイアス電圧を印加する第2工程よりなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電子サイクロトロン共鳴エッチング法またはマイクロ波プラズマエッチング法によるアンドープドポリシリコンあるいはドープドポリシリコンのエッチング方法において、エッチング用プロセスガスとして塩素(Cl2)+臭化水素(HBr)を使用し、塩素は全体の50〜70%とする第1工程と、HBr+ヘリウム(He)を使用し、HBrは全体の20〜50%とし、試料台に-100〜-30Vの低いバイアス電圧を印加する第2工程よりなることを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00