特許
J-GLOBAL ID：200903064396016250
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348992
出願日： 1989年12月12日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 SOI基板の製造方法において、貼り合せ界面に気泡混入のない貼り合せウェーハを得る。【解決手段】 2枚のウェーハ1及び11を貼り合せてなる半導体基板の製造方法であって、2枚のウェーハ1,11を凸球面状に変形させてから貼り合せる。
請求項（抜粋）：
2枚のウェーハを貼り合せて成る半導体基板の製造方法であって、前記2枚のウェーハを凸球面状に変形させてから貼り合せることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, C30B 29/06
, C30B 33/06
, H01L 27/12
H01L 21/02 B
, C30B 29/06 C
, C30B 33/06
, H01L 27/12 B
