特許
J-GLOBAL ID：200903064399335950
a-DLC-Si膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300649
公開番号（公開出願番号）：特開平5-140744
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：
【要約】【目的】 密着性に優れた低摩擦係数のa-DLC-Si膜の形成方法。【構成】 基板11を、反応室14内において、ECRプラズマ室17に対面して斜めに設置し、ECRプラズマ室17に反応ガスを導入してECRプラズマCVDにより基板にDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成するとともに、基板11に対向して反応室内に配置したSiターゲット10にレーザ1を照射してレーザPVDにより基板11にSiを蒸着させ、基板上にa-DLC-Si膜を形成する。プラズマ室17に導入された反応ガスは、プラズマ室内で励起され、発散磁界によりプラズマ流の形で基板11に供給されるので、基板11の上にDLC膜が生成するとともに、レーザPVDにより高いエネルギーのSi蒸発粒子が蒸着するので、密着性の優れたa-DLC-Si膜が形成される。
請求項（抜粋）：
基板を、反応室内において、マイクロ波矩形導波管と磁気コイルを具備したECRプラズマ室に対面して斜めに設置し、前記基板に対向して反応室内にSiターゲットを配置し、前記ECRプラズマ室に反応ガスを導入してECRプラズマCVDにより前記基板にDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成するとともに、前記反応室に設けた入射窓を介してレーザ光をSiターゲットに照射してレーザPVDにより前記基板にSiを蒸着させ、前記基板上にa-DLC-Si膜を形成することを特徴とするa-DLC-Si膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/26
, C01B 31/36
, C23C 14/10
, C23C 26/00
