特許
J-GLOBAL ID:200903064401980729

垂直配向型液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小野 由己男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-329982
公開番号(公開出願番号):特開2001-188242
出願日: 2000年10月30日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 垂直配向型液晶表示装置の画質を改善する。【解決手段】 本発明による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板上にゲート線と共に共通電極線が形成されており、共通電極線には分枝として保持容量電極が形成されている。ゲート線と共通電極線の上にはゲート絶縁膜が形成されており、ゲート絶縁膜の上にはデータ線が形成されている。データ線の上には保護膜が形成されており、保護膜の上には第1開口パターンを有する画素電極が形成されている。薄膜トランジスタ基板と対向する上部基板にはブラックマトリックスと第2開口パターンを有する共通電極が形成されている。この時、画素電極は、第2開口パターンと画素電極の辺とが重なる部分において、保持容量電極を完全に覆うように形成する。
請求項(抜粋):
絶縁基板と、前記絶縁基板の上に形成されているゲート線と、前記ゲート線と平行に形成されている第1共通電極線と、前記共通電極線と連結されている保持容量電極と、前記ゲート線・共通電極線及び保持容量電極の上に形成されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されているデータ線と、前記データ線の上に形成されている保護膜と、前記保護膜の上に形成されており第1開口パターンを有する画素電極とを含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタ基板を上側から見る時、前記画素電極が前記保持容量電極を特定部分で完全に覆っていることを特徴とする、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
IPC (6件):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/1337 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/1337 ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-185836   出願人:富士通株式会社
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-066992   出願人:富士通株式会社
  • 液晶表示装置及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-033585   出願人:三星電子株式会社
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審査官引用 (5件)
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-185836   出願人:富士通株式会社
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-066992   出願人:富士通株式会社
  • 液晶表示装置及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-033585   出願人:三星電子株式会社
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