特許

J-GLOBAL ID：200903064409386133

LSIチップの電圧発生装置

発明者： 加茂 宣卓 ,  土佐 博昭 ,  東 辰 ,  黒田 昭宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 村上 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004445
公開番号（公開出願番号）：特開2001-194427
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 検査時に使用するテストパターンの量を削減し、検査時間を短くできるLSIチップの電圧発生装置を得る。【解決手段】 逆バイアス電圧発生回路5によってLSIチップ基板6に逆バイアス電圧を印加すると共に、リレー4のON/OFFを制御することによって逆バイアス電圧を変化させる。

請求項（抜粋）：

LSIチップに逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧発生回路と、上記逆バイアス電圧を可変にするリレーと、命令に基づき上記リレーのON/OFFを制御する制御回路とを設けたことを特徴とするLSIチップの電圧発生装置。

IPC (2件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/26

FI (2件)：

G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 M

Fターム (12件)：

2G003AA07 ,  2G003AA08 ,  2G003AD07 ,  2G003AH01 ,  2G003AH04 ,  2G032AA07 ,  2G032AB01 ,  2G032AE14 ,  9A001BB05 ,  9A001JJ45 ,  9A001KZ54 ,  9A001LL05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-003153
  
• 特開昭63-307772
  
• 多段階電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-145232   出願人：富士通株式会社