特許
J-GLOBAL ID：200903064416944745
マイクロ真空管
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193782
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050133
出願日： 1993年08月05日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 冷陰極型電子放出機構を用い、電子倍増を行なわせて、大容量化が可能のスイッチ素子として好適なマイクロ真空管を提供する。【構成】 マイクロ真空管10は、シリコン基板11上に形成されたシリコン酸化膜12と、これに形成された凹部12aと、シリコン酸化膜上で凹部の一方に張り出て櫛歯状の先端部13aを多数有する冷陰極13と、凹部上の冷陰極側に設けた短冊状のゲート電極14と、シリコン酸化膜上で凹部の他方に張り出て冷陰極に対峙する第1のダイノード15と、下面に凹部16aを有し真空空間17を形成する封止部材16を有する。第1のダイノードは冷陰極からの1次電子が45°程度の入射角で入射するよう斜向配置し、その後段には同様の斜向配置でカスケード結合した第2〜第5のダイノード18〜21を設ける。第5のダイノード21の後段には集電極22を設ける。
請求項（抜粋）：
制御電極の電界によって冷陰極からの電子の放出を制御する電界効果型電子放出部と、前記放出された電子を真空空間経路を介して捕獲する集電極とを有するマイクロ真空管において、前記真空空間経路の途中で前記電子を1次電子としてその衝突により2次電子を放出する2次電子放出面を備えた第1のダイノードを有することを特徴とするマイクロ真空管。
IPC (4件)：
H01J 19/24
, H01J 1/30
, H01J 21/06
, H01J 43/18
