特許

J-GLOBAL ID：200903064427696913

光変調複合素子

発明者： 梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245450
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 変調した半導体レーザー光を放出することが可能な、半導体レーザーと光変調素子が一体化された小型、低コスト、高速、高効率なオプト・エレクトロニクスに使用可能な光変調複合素子を提供する。【構成】 光変調複合素子は、半導体レーザー上に、半導体レーザーの基板に対してエピタキシャルまたは配向性である強誘電体薄膜光導波路を有する光変調素子がバッファ層を介して設けられ、該光変調素子は、半導体レーザーより導入されたレーザー光を変調した後に放出するものであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザー上に、半導体レーザーの基板に対してエピタキシャルまたは配向性である強誘電体薄膜光導波路を有する光変調素子がバッファ層を介して設けられ、該光変調素子は、半導体レーザーより導入されたレーザー光を変調した後に放出するものであることを特徴とする光変調複合素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/109

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-030026
  
• 強誘電体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-108457   出願人：株式会社日鉱共石
• 特開平1-280375