特許
J-GLOBAL ID:200903064442076115
光電気セル
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-123065
公開番号(公開出願番号):特開2002-319439
出願日: 2001年04月20日
公開日(公表日): 2002年10月31日
要約:
【要約】【課題】電極層の腐食等が少なく、高い光電変換効率を長期にわたって維持可能な光電気セルを提供する。【解決手段】表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した多孔質半導体膜(2)が形成されてなる電極付基板(A)と、表面に電極層(3)を有する電極付基板(B)とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、多孔質半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、電極層(1)と多孔質半導体膜(2)との間に非孔質半導体膜(7)を有し、電極付基板(A)および(B)の少なくとも一方の基板および電極層が透明性を有していることを特徴とする光電気セル。
請求項(抜粋):
表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した多孔質半導体膜(2)が形成されてなる電極付基板(A)と、表面に電極層(3)を有する電極付基板(B)とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、多孔質半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、電極層(1)と多孔質半導体膜(2)との間に非孔質半導体膜(7)を有し、電極付基板(A)および(B)の少なくとも一方の基板および電極層が透明性を有していることを特徴とする光電気セル。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
Fターム (9件):
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051DA20
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE17
, 5H032HH00
引用特許:
審査官引用 (2件)
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光電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-346708
出願人:セイコーエプソン株式会社
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光電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-346709
出願人:セイコーエプソン株式会社
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