特許
J-GLOBAL ID：200903064448945964
パターン形成方法及び露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203050
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033941
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 マスクブランクスの欠陥個所を避けてパターン形成を行うことができ、製造歩留まりの向上及びマスクブランクスの効率的利用を可能にする。【解決手段】 露光用マスクを作成するためのマスクブランクスの主面に所望のパターンを露光し、該マスクブランクスにマスクパターンを形成するためのパターン形成方法において、マスクブランクスの主面の対角の隅にそれぞれ位置計測マークを形成しておき、マスクブランクスの主面の欠陥75を検出し、検出した欠陥75の位置とマスクブランクスに形成すべきマスクパターン73との相対位置を比較し、欠陥75がパターン73と重なるようにパターン位置を選択し、次いで位置計測マークを計測して露光位置を算出し、選択された位置に露光処理を施す。
請求項（抜粋）：
被露光基板面に所望パターンを露光し、該基板面にパターンを形成するためのパターン形成方法であって、前記基板面の欠陥を検出する工程と、該工程により検出された欠陥と前記基板面に形成すべきパターンとの相互位置関係を解析する工程と、該工程による解析結果に基づいて前記パターンを前記基板面に露光する際のパターン位置を補正する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 B
, G03F 1/08 Z
, H01L 21/30 502 P
2H095BB10
, 2H095BB34
, 2H095BC24
, 2H095BD02
, 2H095BE03
