特許
J-GLOBAL ID：200903064459304235
薄膜磁気ヘッドの配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226230
公開番号（公開出願番号）：特開2002-042309
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 選択めっきを行う際に必要となるマスクパターンとめっき電極との剥離を確実に防止する薄膜磁気ヘッドの配線方法を提供すること。【解決手段】 基板1にめっき電極膜3を形成した後、レジストパターン4を形成する。次に、アルミナ、あるいは二酸化ケイ素からなる絶縁膜5をスパッタ法により形成する。絶縁膜5の形成後、該絶縁膜5をリフトオフ処理してマスクパターン6の開口部を形成する。これにより、めっき電極膜3界面へのめっき液のしみ込みや、めっき液の溶解によるマスクパターン6の剥離を確実に抑制することができ、高精度で安定した配線形成を可能とすることができる。
請求項（抜粋）：
磁気記録媒体に対して情報を記録・再生する薄膜磁気ヘッドの配線形成方法であって、基板上にめっき電極を形成する工程と、選択めっきのマスクパターンを絶縁性薄膜により形成する工程と、前記めっき電極から電流を供給し、金を電解めっきする工程と、前記マスクパターン、および前記めっき電極を除去する工程とを有したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの配線形成方法。
Fターム (5件)：
5D033BA39
, 5D033CA04
, 5D033DA04
, 5D033DA07
, 5D033DA31
