特許

J-GLOBAL ID：200903064468451267

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-146383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007182
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いて発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型Ga<SB>1-Y</SB>Al<SB>Y</SB>N(0<Y<1)層とp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0<Z<1)層との間に、n型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型Ga<SB></SB><SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X<1、X<Y、X<Z)層を発光層5として具備するダブルへテロ構造の発光素子。

請求項（抜粋）：

n型Ga<SB>1-Y</SB>Al<SB>Y</SB>N(0<Y<1)層とp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0<Z<1)層との間に、n型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X<1、X<Y、X<Z)層を発光層として具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。