特許

J-GLOBAL ID：200903064468451267

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-146383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007182
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いて発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型Ga1-YAlYN(01-ZAlZN(01-XAlXN(0≦X<1、X 請求項（抜粋）：

n型Ga1-YAlYN(01-ZAlZN(01-XAlXN(0≦X<1、X