特許
J-GLOBAL ID：200903064469294157
発光ダイオードの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050052
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244457
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 発光効率が高い青色発光素子を高い生産性で製造する。【構成】 単結晶基板1上に炭化ケイ素ウイスカ2をCVD法で成長させる際、CVD反応域に導入されるドーピングガスを切り換え、炭化ケイ素ウイスカ2の成長方向に関して導電極性が転換したp-n接合を形成する。p-n接合を超える厚さをもつ絶縁膜3で単結晶基板1を覆い、絶縁膜3の表層部をエッチング除去し、炭化ケイ素ウイスカ2の端部を露出させる。露出した炭化ケイ素ウイスカ2の端部を一定の高さに揃えた後、一方のオーミック電極となる透明導電膜4を形成する。また、単結晶基板1の裏面にも、他方のオーミック電極となる電極用金属膜5を形成する。【効果】 個々の炭化ケイ素ウイスカ2は、結晶欠陥が少なく発光効率の高い素子となる。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に炭化ケイ素ウイスカをCVD法で成長させる際にCVD反応域に導入されるドーピングガスを切り換え、前記炭化ケイ素ウイスカの成長方向に関して導電極性が転換したp-n接合を形成し、前記単結晶基板の表面から前記p-n接合を超える厚さをもつ絶縁膜で前記単結晶基板を覆い、前記絶縁膜の表層部をエッチング除去することにより、前記p-n接合部を露出させることなく、前記炭化ケイ素ウイスカの端部を露出させ、露出した前記炭化ケイ素ウイスカの端部を一定の高さに揃え、前記炭化ケイ素ウイスカの露出部を含む前記絶縁膜の表面に、一方のオーミック電極となる透明導電膜を形成し、前記単結晶基板の裏面に、他方のオーミック電極となる金属膜を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
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