特許

J-GLOBAL ID：200903064476073255

半導体デバイスの放熱装置及びその製造方法

発明者： クラウス・ディートリッヒ・バイヤー ,  チャン=ミン・シー ,  ルイス・ルー=チェン・シュー ,  デーヴィッド・エドワード・コテツキ ,  ユアン・ツォン=ディー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329447
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267443
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、SOI構造の分離されたシリコン領域から熱を効率的に放散することを目的とする。【構成】 トレンチあるいはホールを、分離された活性シリコン領域16及び下側の絶縁層14を貫いてシリコン支持基板12中までエッチングし、トレンチの壁面を不動態化20し、トレンチをCVDダイヤモンド材料23で充填することにより、分離した活性シリコン領域16からの熱エネルギーを放散させる。

請求項（抜粋）：

活性半導体領域が絶縁層によって下側の基板から分離されるという、活性半導体領域からの熱を下側の基板に伝える方法であって、a)前記活性半導体領域及び前記絶縁層を貫いて前記下側の基板中までトレンチをパターン形成する段階とb)前記トレンチをCVDダイヤモンドで充填する段階とを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/12 ,  H05K 7/20