特許
J-GLOBAL ID：200903064477594526
多結晶シリコン層の形成方法及びそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269563
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097073
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】低温プロセスを達成し多結晶シリコン層中の欠陥密度を減少させ、TFTの電気的特性を向上させる。【構成】光ビームアニール後に多結晶シリコン層を350°C以上430°C以下の温度で熱処理する。【効果】多結晶シリコンTFTのリーク電流が1/2〜1/3程度、低減される。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された非晶質シリコン薄膜に、連続発振レーザー光などの光ビームを照射せしめ、前記光ビームの走査速度をビームスポット径×5000/秒以上として前記非晶質シリコン薄膜を光ビームアニールし、完全な溶融状態に至らしめることなく多結晶シリコン層化し、さらにこの多結晶シリコン層を350°C以上430°C以下の温度で熱処理することを特徴とする多結晶シリコン層の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
