特許
J-GLOBAL ID：200903064479730931
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333422
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181304
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 電界効果型半導体装置において、オン抵抗を小さくするとともにソース・ドレイン間耐圧及びゲート・ソース間耐圧を高くすること。【解決手段】 第1導電型のソース・ドレイン領域11、14と、該ソース・ドレイン領域11、14の間に存在する第1の第2導電型領域13と、該第1の第2導電型領域13及び前記ドレイン領域11に絶縁膜15bを介して隣接するように形成されたゲート電極17と、該ゲート電極17の前記ドレイン領域12側端部のコーナーを前記絶縁膜15bを介して被うように形成された第2の第2導電型領域16とを具備することを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
第1導電型のソース・ドレイン領域と、該ソース・ドレイン領域の間に存在する第1の第2導電型領域と、該第1の第2導電型領域及び前記ドレイン領域に絶縁膜を介して隣接するように形成されたゲート電極と、該ゲート電極の前記ドレイン領域側端部のコーナーを前記絶縁膜を介して被うように形成された第2の第2導電型領域とを具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 653 B
