特許
J-GLOBAL ID：200903064485886366
薄膜エレクトロルミネツセンス素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220849
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062778
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【構成】 二重絶縁構造の薄膜EL素子において、発光層が、スパッタ蒸着法等で、基板温度150°C以下にて成膜したアモルファス状の薄膜を、硫化水素等の硫化性ガス雰囲気下、650°C以上の温度で熱処理することにより作製される。【効果】 結晶粒径の大きな高結晶化した発光層を得ることができるので、高輝度に発光する薄膜EL素子を作製できる。
請求項（抜粋）：
発光中心をドープした発光層の両側を絶縁薄膜ではさみ、さらにその両側を、少なくとも一方が光透過性の電極ではさんだ構造をもつ薄膜エレクトロルミネッセンス素子であって、かつ発光層成膜後、加熱処理を施す前の上記発光層がアモルファス状であることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (3件)：
H05B 33/14
, C09K 11/00
, H05B 33/10
