特許

J-GLOBAL ID：200903064497705685

磁気抵抗読取りトランスジューサ

発明者： ジェームズ・ケント・ハワード ,  チャーニー・ウォン ,  ジェームズ・シ-タン・リー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329219
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258246
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【構成】 磁気抵抗(MR)センサ31は、MR素子と離隔した位置に於いて電気的に接触する導電リード構造38^、41^を持つ。リード構造は、ルテニウム、イリジウム、またはロジウムの薄膜より成り、主電流キャリアとして機能する。主電流キャリアの接着層として、薄膜上層49または薄膜下層48と上層49の両方が利用できる。上層と下層は両方とも、TiとTaのグループより選定された物質で形成される。【効果】 リード構造は抵抗率が低く耐食性に優れる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された磁気抵抗物質の層と、上記磁気抵抗物質の層と離隔した位置に於いて電気的に接触する複数の導電リード構造であり、各々が、ルテニウム、イリジウム、及びロジウムのグループより選定された物質の層より成り、よって、上記導電リード構造のうちの2つの間に信号出力手段が接続される時に、上記磁気抵抗物質の層によって捕捉される磁界に応答する上記磁気抵抗物質の抵抗変化が検出されるものとを含む、磁気センサ。