特許
J-GLOBAL ID：200903064499481113

半導体装置の作製方法

発明者：
張 宏勇

張 宏勇 について

, 
福永 健司

福永 健司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032871
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205208
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【目的】 特性の優れた半導体装置を作製できる水素化方法を提供する。【構成】 絶縁表面を有する基体101の内部にイオンドーピング法によって水素イオンを高濃度に含む領域を形成する。この領域からは300 〜450 °Cの加熱処理によって水素イオンが熱拡散し、活性層103のダングリングボンドや欠陥準位等を補償する。このように半導体装置内部から水素化することが出来るため、効率の良い水素化を行うことが可能となる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基体上に半導体装置を作製する過程において、前記半導体装置を構成する活性層の下方に所定量の水素を含む領域を形成する第1の工程と、前記水素を加熱処理により前記半導体装置内部へ拡散せしめる第2の工程と、を少なくとも有し、前記第1の工程により形成される領域を水素供給源として前記第2の工程により前記半導体装置の水素化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
引用特許：
審査官引用 (6件)
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