特許

J-GLOBAL ID：200903064503848698

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 武田 隆信 ,  渡辺 修 ,  平原 和弘 ,  前田 和規 ,  草木 渉 ,  名倉 茂広
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245617
公開番号（公開出願番号）：特開2002-062652
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むレジスト材料。【化1】(R1、R2、R3は水素原子又はメチル基を示す。Zは炭素数2〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は酸素原子を含む炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5は炭素数5〜20の3級アルキル基を示す。p、q、rは正数であり、p+q+r=1を満足する数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、優れたエッチング耐性やプロセス適応性を有する、化学増幅ポジ型レジスト材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子又はメチル基を示す。また、Zは炭素数2〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は酸素原子を含む炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5は炭素数5〜20の3級アルキル基を示す。p、q、rは正数であり、p+q+r=1を満足する数である。)

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 12/14 ,  C08F 20/12 ,  C08F 20/30 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 12/14 ,  C08F 20/12 ,  C08F 20/30 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (40件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BC121 ,  4J002BG071 ,  4J002EJ017 ,  4J002EV006 ,  4J002EV236 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07P ,  4J100AL02R ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC43Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38