特許

J-GLOBAL ID：200903064504199758

汚染帯水層の浄化方法および浄化装置

発明者： 下村 達夫 ,  長谷川 武
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053586
公開番号（公開出願番号）：特開平10-249326
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 油、溶剤等によって汚染された帯水層を浄化すること、特に帯水層中の原位置での浄化処理により効率的でかつ経済的に処理する方法を提供する。【解決手段】 汚染された帯水層に井戸を設置し、前記井戸の前記帯水層の位置にストレーナを配置し、前記井戸の上部にガス吸引配管を設置しかつ井戸管頭を密閉し、地下水位以深の井戸内に散気装置を配置し、まずガス吸引配管により井戸内のガスを吸引して井戸内の圧力を下げ井戸内の水位を上昇させ、ついでガス吸引を停止した後、井戸内に散気装置よりガス状基質を曝気供給して井戸内の地下水に溶解させ、かつ井戸内の圧力を上昇させることにより井戸内の水位を低下させ、前記ガス吸引とガス状基質供給の操作を繰り返すことにより、帯水層の土壌及び地下水を原位置で清浄化することを特徴とする汚染帯水層の浄化方法、及び浄化装置。

請求項（抜粋）：

汚染された帯水層を浄化する方法において、汚染された帯水層に井戸を設置し、前記井戸の前記帯水層の位置にストレーナを配置し、前記井戸の上部にガス吸引配管を設置しかつ井戸管頭を密閉し、地下水位以深の井戸内に散気装置を配置し、まずガス吸引配管により井戸内のガスを吸引して井戸内の圧力を下げ井戸内の水位を上昇させ、ついでガス吸引を停止した後、井戸内に散気装置よりガス状基質を曝気供給して井戸内の地下水に溶解させ、かつ井戸内の圧力を上昇させることにより井戸内の水位を低下させ、前記ガス吸引とガス状基質供給の操作を繰り返すことにより、帯水層の土壌及び地下水を原位置で清浄化することを特徴とする汚染帯水層の浄化方法。

IPC (2件)：

B09C 1/10 ZAB ,  C02F 3/06 ZAB

FI (2件)：

B09B 3/00 ZAB E ,  C02F 3/06 ZAB