特許

J-GLOBAL ID：200903064505758645

半導体装置

発明者： 山川 裕之 ,  鈴木 俊夫
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238821
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066326
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】望ましい特性の充填材で、その充填形状を制限して半導体装置の信頼性を高めること。【構成】図1で、ガラス基板2上にフリップチップIC1がバンプ半田付けされ、基板2とIC1との間にできたすき間が樹脂で固定されている。この構造の有限要素法による理論解析では、樹脂が基板2に及ぼす要因は、樹脂の物性値である線膨張係数α、フィレット長Lが基板2の応力に大きく影響し、αが小さく、Lが短ければ短い程、応力は小さくなることが判明した。それで、最終的な条件として、フィレット長Lはフィレット高さの3倍を越えない長さで、約2mm以下、線膨張係数αは35ppm/°Cより小さければ、一般的な2000サイクルという耐久性の基準をクリアできる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にICチップを実装し、該ICチップと該ガラス基板とのギャップに補強のための樹脂を充填する構造を有する半導体装置において、充填された前記樹脂が前記ICチップの下部のみならず、該ICチップの側面と前記ガラス基板とのフィレットを有し、前記フィレットの脚長が略指数関数の裾形状で広がり、該ICチップ側面における該フィレット頂点の前記ガラス基板からの高さの3倍を越えない長さで形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-082048
  
• 樹脂封止半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-115786   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平3-082048