特許

J-GLOBAL ID：200903064508273731

半導体装置の製造方法

発明者： 井岡 敏 ,  入江 祐三
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-359798
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175183
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 WET処理の際に,半導体装置のアルミシリコン合金膜の側壁に発生する、電池効果による局部腐食を防止できる半導体装置を得ること。【構成】 酸化剤を添加した超純水を用いて、アルミシリコン合金膜7を有する基板1を水洗処理する。【効果】 アルミシリコン合金配線の断線や局部的な細まりを防ぐとともに、半導体装置の信頼性及び生産歩留りを向上することができる。

請求項（抜粋）：

アルミ合金配線層をパターニングした後、マスク層の残渣を化学薬品を用いて除去する工程と,その後、基板を水洗いする水洗処理工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記水洗処理工程は、酸化剤を添加した超純水を用いて上記基板を水洗処理する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302