特許
J-GLOBAL ID:200903064508519641

発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-291632
公開番号(公開出願番号):特開平5-129652
出願日: 1991年11月07日
公開日(公表日): 1993年05月25日
要約:
【要約】【目的】 高い光出力を得られる面発光型発光ダイオードを得る。【構成】 半導体基板1上に、第1半導体クラッド層2、半導体活性層3、第2半導体クラッド層4、半導体キャップ層5が順次積層され、キャップ層5上面の一部に上部電極8が、基板1の下面の全面には下部電極9が設けられた上部電極8直下部Aで活性層が除去されている発光ダイオード。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、第1半導体クラッド層、半導体活性層、第2半導体クラッド層、半導体キャップ層を順次積層させ、その積層体の上面の一部に上部電極を、その下面の全面に下部電極を設けた構造を有し、かつ、上部電極直下部に電流を通さない非導電部を有することを特徴とした発光ダイオード。

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