特許

J-GLOBAL ID：200903064511932991

Si(111)上にゲ-ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法

発明者： ロバート エム ウオーレス ,  グレン ディー ウィルク ,  イー ウェイ ,  スーニル ヴィ ハッタンガディ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074728
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004018
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスを製造する方法及びそのデバイスを提供する。【解決手段】 第1の実施例によるデバイスは、シリコン(111)の表面を設け、この表面の上に結晶質シリコン窒化物の誘電体層を形成させ、このシリコン窒化物の誘電体層の上に電極を形成させることによって製造する。シリコン(111)の表面はクリーンにされ、原子的に平坦にされる。誘電体層は、約 850°C乃至約 1000 °Cの温度で、約1× 10 -7乃至約1× 10 -5の圧力のアンモニア雰囲気内に上記表面を配置することによって、結晶質シリコン窒化物で形成される。電極層は重度にドープされたシリコンである。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを製造する方法であって、(a)シリコン(111)表面を設けるステップと、(b)上記表面の上に結晶質シリコン窒化物の誘電体層を形成するステップと、(c)上記シリコン窒化物の誘電体層の上に電極層を形成するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/70

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/70 ,  H01L 29/78 301 Q