特許

J-GLOBAL ID：200903064516797707

マスク製造方法、及びマスク製造システム

発明者： 白石 直正
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-053291
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 位相シフト法によってレチクルパターンを投影露光したときに生ずるパターン線幅の細りを補正する。【構成】 着目するパターンのエッジが、周囲の別のパターンに対して一定距離(例えば解像限界値)以上に離れているときは、そのエッジ部を孤立的と判断し、当該エッジ部が他のエッジ部に対して微小量だけ相対的に拡張されるようにパターンの設計データを修正する。

請求項（抜粋）：

所定のエネルギー線に対して遮へい性のパターン要素の複数、もしくは前記エネルギー線に対して透過性のパターン要素の複数を、各パターン要素の形状と配置とを規定した設計データに基づいて所定の原版上に生成することによってリソグラフィ用のマスクを製造する方法において、前記複数のパターン要素のうち所定の線幅以下の特定パターン要素の外形エッジが、その周囲に隣接した他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定し、一定間隔以上のときは前記特定パターン要素の該当する外形エッジ部分が他の外形エッジ部に対して微小量だけ外側に相対的に拡張されるように前記設計データを修正した後、該修正された設計データに基づいて前記複数のパターン要素を前記原版上に生成することを特徴とするマスク製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-036549
  
• 特開昭60-113102
  
• 特開平3-089346
  
• 特開昭49-034777