特許

J-GLOBAL ID：200903064518407825

金属膜CMP用スラリ-及びこれを用いたCMP方法

発明者： 金 男壽 ,  崔 晶植 ,  崔 盛弼 ,  朴 濟應
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006284
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340173
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子製造工程に使われる金属膜CMP用スラリー及びこれを用いたCMP方法を提供する。【解決手段】 金属膜CMP用スラリーは酸化剤H5IO6、研磨粒子、酸及び脱イオン水を含んでなる。さらに詳しくは、スラリーは2〜10重量%のH5IO6、2〜10重量%の研磨粒子、0.01〜1.0重量%の酸及び残量として脱イオン水を含んでなる。酸化剤H5IO6の濃度は0.01〜1moleである。スラリーは特定研磨粒子に限定されず、一般的によく知られたアルミナ、シリカまたはセリウムオキサイドを使用することができる。酸は0.01〜0.5重量%の窒酸、0.01〜0.5重量%の硫酸または0.02〜1.0重量%の硫酸と窒酸の混合物を使用できる。これにより、金属膜研磨工程に使用できる研磨速度と平坦度を有し、表面欠点と金属汚染を防止する効果がある。

請求項（抜粋）：

酸化剤H5IO6、研磨粒子、酸及び脱イオン水を含む金属膜CMP用スラリー。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 H