特許

J-GLOBAL ID：200903064519981851

帯電防止方法

発明者： 橋本 隆治 ,  鈴木 博 ,  伴 釼三
出願人/特許権者： 松本製薬工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375967
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152136
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】広範に適用出来る帯電防止方法を提供する。【解決手段】 本発明は、式(1)で示される第4級アンモニウム塩と有機酸との反応物と、式(2)又は/及び式(3)で示されるケイ素元素に一つ以上のイソシアナート基を有するシリルイソシアナート化合物とを含有する表面処理剤を用いて基材を処理することを特徴とし、密着性、耐久性、光透過性に優れた帯電防止膜を形成できる。【効果】帯電防止効果は単に基材の帯電防止処理した面のみならず、特定の厚みの範囲内であれば処理した基材の裏面、帯電防止処理面の上に積層あるいは形成されたフィルム層、コーティング層、印字層、塗装層等の絶縁層の表面にも及び、それらの表面の帯電現象をも抑制できるため好適な適用範囲が非常に広い。

請求項（抜粋）：

式(1)で示される第4級アンモニウム塩を有する化合物とカルボン酸、多塩基酸、もしくはオキシ酸との反応物と、式(2)又は/及び式(3)で示されるケイ素元素に一つ以上のイソシアナート基を有するシリルイソシアナート化合物とを含有する表面処理剤で基材表面を処理することを特徴とする帯電防止方法。

IPC (4件)：

C09K 3/16 109 ,  C09K 3/16 104 ,  C09K 3/16 110 ,  H05F 1/02

FI (4件)：

C09K 3/16 109 ,  C09K 3/16 104 Z ,  C09K 3/16 110 ,  H05F 1/02 K

Fターム (3件)：

5G067AA05 ,  5G067AA51 ,  5G067CA02