特許

J-GLOBAL ID：200903064521016276

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 吉川 定男 ,  梶谷 雅典
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154247
公開番号（公開出願番号）：特開平10-003793
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 フローティングゲートを有する不揮発性半導体メモリ装置の書き込み動作を高速にする。【解決手段】 メモリセルトランジスタ30と並列にリファレンストランジスタ31を接続し、ワード線35及びソース線36をそれぞれ共通に接続する。リファレンストランジスタ31のフローティングゲートに記憶情報に対応した信号電位Vsigを印加し、オン抵抗値を固定させる。メモリセルトランジスタ30及びリファレンストランジスタ31に書き込みパルスφwを印加して電流を流し、メモリセルトランジスタ30のフローティングゲートへ電荷を注入させる。同時に、メモリセルトランジスタ30及びリファレンストランジスタ31のドレイン側の電位を読み出しながら、両電位が一致した時点で書き込みを停止させる。

請求項（抜粋）：

電気的に独立したフローティングゲートに重ねてコントロールゲートが配置され、フローティングゲート及びコントロールゲートに隣接してソース領域及びドレイン領域が配置されるメモリセルトランジスタと、このメモリセルトランジスタと同一構造を成し、メモリセルトランジスタに並列に接続されてフローティングゲートに記憶情報と対応付けられる信号電位が印加されるリファレンストランジスタと、上記メモリセルトランジスタ及び上記リファレンストランジスタのソース/ドレイン間に一定の電位差を与えて上記メモリセルトランジスタのフローティングゲートに電荷を注入させる書き込み回路と、上記メモリセルトランジスタ及び上記リファレンストランジスタのコントロールゲートに所定の電圧を与えて上記メモリセルトランジスタ及び上記リファレンストランジスタを同時に活性化する選択回路と、上記メモリセルトランジスタ及び上記リファレンストランジスタに流れる電流量を比較する比較回路と、を備え、書き込み回路から上記メモリセルトランジスタ及び上記リファレンストランジスタに与える電位差を上記比較回路の比較結果に応答して変動させることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。