MOSトランジスタ及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285276
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135448
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】低電圧で駆動と高耐圧との両方の機能を備え、かつ従来からある高耐圧高電圧駆動MOSトランジスタと同程度の占有面積でのMOSトランジスタを実現すること。【解決手段】半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜2a、2b、2c、ゲート電極3及びソース/ドレイン領域4とからなるMOSトランジスタであって、前記ゲート絶縁膜が、ゲート電極端部近傍C下ではゲート電極3中央部下での膜厚よりも厚く、ゲート電極端部B下ではゲート電極端部近傍C下での膜厚よりもさらに厚く形成されてなるMOSトランジスタ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極及びソース/ドレイン領域とからなるMOSトランジスタであって、前記ゲート絶縁膜が、前記ゲート電極端部近傍下ではゲート電極中央部下での膜厚よりも厚く、ゲート電極端部下では前記ゲート電極端部近傍下での膜厚よりもさらに厚く形成されてなることを特徴とするMOSトランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-161871
特開昭58-089865
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-055338 出願人：住友金属工業株式会社

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