特許

J-GLOBAL ID：200903064523698480

面発光型半導体レーザ装置

発明者： 中野 好典
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294301
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152047
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 歩溜りの悪いDBRを必要とせず、しかも微小サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を提供する。【構成】 円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層8と、該活性層8の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上部クラッド層7及び下部クラッド層9とを有し、前記上部クラッド層7の周辺部に沿って光共振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記上部クラッド層7の表面に該上部クラッド層7の周辺部に対して垂直な方向に2次の回折格子2を形成することにより、基板3に対して垂直な方向にレーザ光を出射可能とする。

請求項（抜粋）：

円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層と、該活性層の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上部クラッド層及び下部クラッド層とを有し、前記上部クラッド層の周辺部に沿って光共振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記上部クラッド層の表面に該上部クラッド層の周辺部に対して垂直な方向に2次の回折格子を形成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。