特許

J-GLOBAL ID：200903064526471303

センスアンプとそれを用いたSRAMとマイクロプロセッサ

発明者： 平木 充 ,  佐々木 靖彦 ,  関 浩一 ,  松浦 達治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 磯村 雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-119784
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 SRAMのセンスアンプにおいて、消費電力が小さく、かつ高速動作が可能なセンスアンプを実現することである。【構成】 ソ-スにビット線BLが接続された第1のpMOSと、ソ-スにビット/BLが接続された第2のpMOSと、ドレインが第1のpMOSのドレインにに接続され、ゲ-トが第2のpMOSのドレインおよび第1のpMOSのゲ-トに接続された第1のnMOSと、ドレインが第2のpMOSのドレインに接続され、ゲ-トが第1のpMOSのドレインおよび第2のpMOSのゲ-トに接続され、ソ-スが第1のnMOSのソ-スに接続された第2のnMOSと、OUTとVCCとの導通/非導通を制御する第3のpMOSと、/OUTとVCCとの導通/非導通を制御する第4のpMOSと、ノ-ドN1とGNDとの導通/非導通を制御する第3のnMOSとを具備する。

請求項（抜粋）：

SRAMのセンスアンプにおいて、ソ-ス端子に第1の入力信号線が接続された第1のpチャネルMOSFETと、ソ-ス端子に第2の入力信号線が接続された第2のpチャネルMOSFETと、ドレイン端子が上記第1のpチャネルMOSFETのドレイン端子に接続され、ゲ-ト端子が上記第2のpチャネルMOSFETのドレイン端子および上記第1のpチャネルMOSFETのゲ-ト端子に接続された第1のnチャネルMOSFETと、ドレイン端子が上記第2のpチャネルMOSFETのドレイン端子に接続され、ゲ-ト端子が上記第1のpチャネルMOSFETのドレイン端子および上記第2のpチャネルMOSFETのゲ-ト端子に接続され、ソ-ス端子が上記第1のnチャネルMOSFETのソ-ス端子に接続された第2のnチャネルMOSFETと、第1の電源と上記第1のnチャネルMOSFETのソ-ス端子との間の導通/非導通を制御する第1のスイッチング回路と、第2の電源と上記第1のpチャネルMOSFETのドレイン端子との間の導通/非導通を制御する第2のスイッチング回路と、上記第2の電源と上記第2のpチャネルMOSFETのドレイン端子との間の導通/非導通を制御する第3のスイッチング回路とを具備することを特徴とするセンスアンプ。