特許

J-GLOBAL ID：200903064529581606

磁気デイスク

発明者： 小畑毅
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-233155
公開番号（公開出願番号）：特開平5-073900
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 厚さ500A以下においても、きわめて高い硬度を持ち、さらに密着性、耐摩耗性、潤滑性に優れており、高密度記録技術の要求に十分耐え得る実用性の高い磁気ディスク保護膜を提供する。【構成】 磁気ディスク基体上にシリコン被膜を設け、次に該シリコン被膜の上に水素を含有する硬質非晶質炭素保護膜を設け、さらに該硬質非晶質炭素膜の表面に水素、ホウ素ならびに窒素を含有する非晶質炭素膜を設けることにより、シリコン被膜による磁気ディスク基体と保護膜との優れた密着性、硬質非晶質炭素膜による優れた耐摩耗性、そして水素、ホウ素ならびに窒素を含有する非晶質炭素膜による優れた潤滑性を兼ね備え、500A以下の厚さにおいてもきわめて均一かつ良好な磁気ディスク保護膜を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

磁気ディスク基体上にシリコン被膜を設け、次に該シリコン被膜の上に水素を含有する硬質非晶質炭素保護膜を設け、さらに該硬質非晶質炭素膜の表面に水素、ホウ素ならびに窒素を含有する非晶質炭素膜を設けることを特徴とする磁気ディスク。