特許
J-GLOBAL ID：200903064533676905
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089006
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286266
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 貴金属を導入すること無く、IGの様な長時間熱処理を行わないでキャリアライフタイムを短くする。【解決手段】 半導体基体の熱処理について、800〜600°Cの温度帯域を1.0〜8.0°C/minの降温速度で行い、かつ半導体基体の取り出し時の温度を700°C以下とする。
請求項（抜粋）：
半導体基体の熱処理について、800〜600°Cの温度帯域を1.0〜8.0°C/minの降温速度で行い、かつ半導体基体の取り出し時の温度を700°C以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/477
H01L 21/322 Z
, H01L 21/477
