特許
J-GLOBAL ID：200903064538652265
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333325
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193315
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 熱応力により生じるチップ・クラックを抑え、放熱性を高めて信頼性および性能を向上させる。【構成】 半導体素子1の半導体基板6側に凹凸5を形成し、半導体素子1とヒートシンク4との熱膨張率の違いにより発生する熱応力を緩和させる。【効果】 チップ・クラックの発生が防止されるとともに、熱放熱性がよくなるために飽和光出力を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
板状の半導体基板の一方の面に寄せて活性層が形成された半導体素子をソルダを介してヒートシンクに取付けた半導体レーザ装置において、前記半導体基板の他方の面に凹凸が形成され、前記一方の面が前記ソルダに接することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
前のページに戻る
