特許
J-GLOBAL ID：200903064539419629
気相成長自立膜の製造方法及びその製造用基板装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339521
公開番号（公開出願番号）：特開平7-157393
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月20日
要約：
【要約】【目的】 基板上に形成させた気相成長膜を基板から簡単に剥離して気相成長自立膜を得る方法、並びにこの方法の実施に繰り返して使用し得る基板装置を提供する。【構成】 基板1の互いに隣接しない2側面1bで且つ基板1の表面1aと裏面1cの中間よりも表面側又は裏面側に、1対の締めネジ2のような加圧手段により予め機械的に引張応力又は圧縮応力を与え、この状態の基板1の表面1aに気相成長膜を形成した後、基板1の表面1aに与えた応力を解放することにより基板1から気相成長膜を剥離する気相成長自立膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
気相成長法により基板表面に気相成長膜を形成した後、気相成長膜を基板から剥離する気相成長自立膜の製造方法であって、基板に予め機械的に引張応力又は圧縮応力を与え、この応力を与えた状態の基板表面に気相成長膜を形成した後、基板表面に与えた応力を解放することにより基板から気相成長膜を剥離することを特徴とする気相成長自立膜の製造方法。
IPC (2件)：
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