特許

J-GLOBAL ID：200903064543079530

半導体基板の処理方法及び装置

発明者： 西谷 英輔 ,  鈴木 美和子 ,  小林 秀 ,  内田 憲宏 ,  千葉 なつよ ,  島村 英昭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071053
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283096
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】加熱工程を含んだ半導体基板の処理を行う際に、加熱のための光源を処理を行う装置の設置してあるクリーンルームとは雰囲気の違う離れた場所に設置することによって、クリーンルーム内での無駄な排熱を低減することのできる処理装置と方法。【構成】加熱を行うエネルギ源としての処理対象の半導体基板が効率良く吸収できる波長を主たる成分とした光源、光エネルギの輸送手段、半導体基板を主たる構成要素としている。【効果】クリーンルームの中で無駄な排熱を行わないので、クリーンルーム用役設備、及びその運転費用の低減、当該処理装置の大きさの低減、クリーンルーム大きさの低減等によって、製造コストを低減できる。

請求項（抜粋）：

清浄な雰囲気で温度と湿度とが管理されたクリーンルーム内に設置された半導体基板の処理ステージと、該処理ステージに載置された半導体基板を加熱するために処理ステージから隔離されて上記クリーンルームとは異なる雰囲気の場所に設置された加熱エネルギを発生する光源と、該光源と処理ステージとを連絡する光輸送媒体を備えており、基板加熱に用いる光はその処理対象の基板が吸収することの出来る選ばれた波長の光エネルギを主成分とした尖状の発光スペクトルを有したことを特徴とする半導体基板の処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/26 L ,  H01L 21/31 B