特許
J-GLOBAL ID:200903064551728874
ポジ型レジスト組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-197730
公開番号(公開出願番号):特開2000-029219
出願日: 1998年07月13日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 深紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対して、特に残膜率、レジストプロファイルが優れ、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物を提供することである。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、多環型の脂環式基とカルボキシル基を有する樹脂、特定の構造のエノールエーテル基を少なくとも2個有する化合物、特定の有機カルボン酸、含窒素塩基性化合物、及び、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)多環型の脂環式基とカルボキシル基を有する樹脂、(C)下記一般式(I)で表される基を少なくとも2個有する化合物、(D)分子量が1000以下の環状脂肪族有機カルボン酸及び/又はナフタレン環を有する有機カルボン酸、(E)含窒素塩基性化合物、及び(F)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】式(I)中、R1 〜R3 は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。また、R1 〜R3の内の2つが結合して3〜8個の炭素原子、ヘテロ原子から成る環構造を形成しても良い。Zは酸素原子、イオウ原子、-SO2 -又は-NH-を示す。
IPC (4件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 504
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 504
, H01L 21/30 502 R
Fターム (22件):
2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AB20
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025CB06
, 2H025CB08
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB15
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CB52
, 2H025CC04
, 2H025CC17
, 2H025CC20
前のページに戻る