光素子の作製方法、3次元積層構造を有する光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-317579
公開番号（公開出願番号）：特開2005-157336
出願日： 2004年11月01日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】比較的大面積で高機能な光素子をも作製できる光素子の作製方法である。【解決手段】光素子の作製方法は、エピタキシャル成長と多孔質化(マイクロポラス化)の少なくとも一方の性質を持つ第一の層103を第一の基板101の表面に形成した第一の部材と、第二の基板104に層分離用の多孔質層を形成しその上にエピタキシャル成長と多孔質化(マイクロポラス化)の少なくとも一方の性質を持つ第二の層を形成した第二の部材を準備する準備ステップと、第一の部材の第一の層103と第二の部材の第二の層を接合した後、第二の部材の層分離用の多孔質層において層分離を行い、第二の部材の第二の基板104と第二の層を分離して第一の基板101上に積層構造を形成する形成ステップと、第一の層103と第二の層の少なくとも一方の面内に屈折率の違いにより生じる屈折率分布パターンを形成するパターン形成ステップを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

以下の工程を有する光素子の製造方法: (A)第一の基板の表面に、エピタキシャル成長もしくはマイクロポラス化によって第一の層を形成する工程、 (B)第二の基板の表面に多孔質層を形成する工程、 (C)前記多孔質層の表面に、エピタキシャル成長もしくはマイクロポラス化によって第二の層を形成する工程、 (D)第一の層と第二の層を向き合わせて接合する工程、 (E)第二の基板と第二の層を前記多孔質層において分離する工程。

IPC (3件)：

G02B1/02 , H01S3/08 , H01S5/183

FI (3件)：

G02B1/02 , H01S3/08 , H01S5/183

Fターム (10件)：

5F172AE26 , 5F172AF12 , 5F172AL07 , 5F172CC10 , 5F172EE12 , 5F172NQ33 , 5F173AC10 , 5F173AC20 , 5F173AH02 , 5F173AH22

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際特許公開W098/44368公報

前のページに戻る