特許

J-GLOBAL ID：200903064555458499

半導体装置のケイ素酸化膜の製造法

発明者： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-361193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175132
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 触媒ガスを用いて反応速度を高め、かつ、平坦化性に優れた半導体装置のケイ素酸化膜の製造法を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置用のSiO2膜をプラズマCVD法あるいはオゾンCVD法で形成する場合、アルコキシシランと0.01〜10%の範囲の水蒸気と触媒ガスを用いる。触媒ガスはF2,Cl2,Br2のようなハロゲン、あるいはClFのようなハロゲン間化合物、あるいはHF,HCl,HBrのようなハロゲン化水素、あるいはHClO,HClO2,HClO3のようなハロゲンオキシ酸、あるいはCCl4,CF4のようなハロゲン化炭素、あるいはSiH4,H2SiF6のようなフッ化ケイ素及びその酸、あるいはN2O,NO,NO2,N2O5,HNO3のような窒素酸化物及びその酸、あるいはP2O3,P2O5,H3PO4のような酸化リン及びその酸、あるいはHCOOH,CH3COOHのような有機酸である。

請求項（抜粋）：

半導体装置用のSiO2膜をプラズマCVD法あるいはオゾンCVD法で形成する場合、アルコキシシランと0.01〜10%の範囲の水蒸気と触媒ガスを用いることを特徴とする半導体装置のケイ素酸化膜の製造法。