特許

J-GLOBAL ID：200903064563746142

強誘電体薄膜の形成方法

発明者： 大藤 晋一 ,  逸見 学
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322234
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152398
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 バリウムまたはストロンチウムを含む誘電体薄膜の製造において、製造工程中の温度を特定の値に制御することにより、同一組成の材料において高誘電性に加えて強誘電性を有する膜を作り分けて、開発および製造コストの問題を解決すること。【解決手段】 450°C以上550°C以下の基板温度でバリウムまたはストロンチウムを含む誘電体薄膜を電子サイクロトロン共鳴型プラズマ源を有するスパッタリング法を用いて堆積する工程と、600°C以上で900°C以下の温度で熱処理を加える工程とを含む強誘電体薄膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

450°C以上550°C以下の基板温度でバリウムまたはストロンチウムを含む誘電体薄膜を電子サイクロトロン共鳴型プラズマ源を有するスパッタリング法を用いて堆積する工程と、600°C以上で900°C以下の温度で熱処理を加える工程とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (9件)：

C30B 29/22 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35 ,  C23C 14/58 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (8件)：

C30B 29/22 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/35 Z ,  C23C 14/58 A ,  C30B 29/32 C ,  H01B 3/00 H ,  H01L 21/203 S ,  H01L 27/10 651