特許

J-GLOBAL ID：200903064565669005

半導体装置の導電層接続構造およびその製造方法

発明者： 森 健壹 ,  塚本 克博
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050839
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259113
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【構成】 スルーホール49を形成した際に露出した不純物領域37上に形成される自然酸化膜を、CVDによって形成したチタンシリサイド膜51で還元している。すなわちチタンシリサイド膜51形成時自然酸化膜が還元されるのである。【効果】 チタンシリサイド膜51を形成するのに用いるシリコンを、シリコンを含むガスから供給している。したがって、チタンシリサイド膜51が不純物領域37に過度に食込むことを防止できる。

請求項（抜粋）：

上部導電層と下部導電層とを電気的に接続する半導体装置の導電層接続構造の製造方法であって、前記下部導電層上に形成された絶縁層を選択的にエッチング除去し、前記下部導電層にまで到達するスルーホールを形成する工程を備え、前記スルーホール内の前記下部導電層上には自然酸化膜が形成されており、さらに、チタンを含むガス及びシリコンを含むガスを用いるCVD法によって、前記自然酸化膜上にチタンシリサイド層を形成し、前記自然酸化膜を還元する工程と、前記スルーホール内に前記上部導電層と前記下部導電層とを電気的に接続するための接続導電層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記接続導電層と電気的に接続する前記上部導電層を形成する工程と、を備えた半導体装置の導電層接続構造の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-172463
  
• 特開昭61-221376
  
• 特開平3-224223
  
• 特開昭63-172463