特許

J-GLOBAL ID：200903064566043991

半閉磁路インダクタおよびその製造法。

発明者： 太田 敦
出願人/特許権者： 株式会社 コンコルド電子工業
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256918
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085233
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】インダクタンス値が大きく電流容量の大きい磁気特性に優れた小型な半閉磁路インダクタおよび、容易に製造できる製造方法を提供する。【解決手段】環状閉磁路磁芯の一部を切断された磁芯の切断面を乖離させて、予め導線を捲回して形成された角筒状コイル空芯部に、挿入したのち切断面を接合して環状半閉磁路磁芯を形成して半閉磁路インダクタを完成させる。

請求項（抜粋）：

磁性合金薄帯を捲回または積層してなる閉磁路環状磁芯の環の一部を切断して、 局部的に開磁路とした半閉磁路環状磁芯に、導線を捲回してなる半閉磁路環状インダクタの製造方法において、予め導線を捲回してなる角筒状コイルを形成しておき、該角筒状コイルを撓めながら該コイル空芯部に、前記半閉磁路環状磁芯の対向する切断面を乖離させて、前記半閉磁路環状磁芯を挿入し、前記乖離された接断面を接合したことを特徴とする半閉磁路インダクタの製造方法。

IPC (2件)：

H01F 17/06 ,  H01F 17/04

FI (2件)：

H01F 17/06 A ,  H01F 17/04 F

Fターム (9件)：

5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070AB02 ,  5E070BA15 ,  5E070BB01 ,  5E070CA02 ,  5E070CA03 ,  5E070CA16 ,  5E070DA15