特許

J-GLOBAL ID：200903064571756319

InP系半導体素子

発明者： 土屋 朋信 ,  谷渡 剛 ,  平本 清久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069713
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260787
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】InP基板上のエピタキシャル成長層の欠陥密度を低減。【解決手段】基板表面の面方位が<100>から0.2〜3度の角度範囲で傾斜。また、エピタキシャル成長層の格子定数が基板の格子定数と異なる場合には0.2〜0.5度の角度範囲で傾斜【効果】欠陥密度の高い基板や成長層膜厚が数μm以上の厚い場合においても、成長層の欠陥密度を大幅に低減できた。

請求項（抜粋）：

InP基板上にエピタキシャル成長層を有する半導体素子において、InP基板のEPD(エッチピット密度)が1000/cm^2(以下^は上付を示す)以上であり、基板表面の面方位が<100>から0.2〜3度の角度範囲で傾斜していることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/20 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B ,  H01L 29/20